Silicon magiê silic

Silicon magiê (thường được gọi là magiê silic, mg ₂ si) là một hợp chất intermetallic quan trọng với các ứng dụng rộng trong chất bán dẫn, vật liệu nhiệt điện, điều chỉnh hợp kim nhôm và các trường khác. Sau đây là một bản tóm tắt chi tiết về các kỹ thuật ứng dụng và xử lý của nó:

1, các ứng dụng chính của silicon magiê
vật liệu bán dẫn

Chuyển đổi nhiệt điện: MG ₂ SI là vật liệu nhiệt điện thân thiện với môi trường (nhiệt độ làm việc 200-600 độ) được sử dụng để phát điện chất thải, nguồn điện vũ trụ, v.v.

Kiểm soát doping: bằng cách pha tạp antimon (SB), bismuth (Bi), v.v. để tăng cường độ dẫn loại N và bạc pha tạp (AG) để tối ưu hóa hiệu suất loại P.

Phụ gia hợp kim nhôm

Tinh chỉnh hạt: Mg ₂ si tạo thành một giai đoạn tăng cường trong các hợp kim Al Mg Si (như hợp kim 6061), tăng cường sức mạnh, khả năng chống ăn mòn và khả năng hàn.

Tỷ lệ kiểm soát: Cần duy trì Mg: SI≈1,73: 1 (tỷ lệ khối lượng) để tránh sự chống lại do silicon tự do.

Vật liệu lưu trữ hydro

Sau khi kết hợp với LIH, sự hấp thụ và giải hấp hydro có thể đảo ngược có thể đạt được ở nhiệt độ cao, nhưng vấn đề ổn định đạp xe cần được giải quyết.

Các khu vực khác

Là một trung gian để chuẩn bị silicon có độ tinh khiết cao hoặc cho các thiết bị quang hồng ngoại.

2, Kỹ thuật quy trình chuẩn bị của silicon magiê
1. Phương pháp tổng hợp
Phương pháp tổng hợp trực tiếp (được sử dụng phổ biến nhất)

Phương trình phản ứng: 2mg+si → mg ₂ si

kỹ năng:

Bột magiê (99,9%) và bột silicon (độ tinh khiết cao) được trộn theo tỷ lệ cân bằng hóa học và được làm nóng đến 500-600 độ dưới bảo vệ argon.

Magiê dễ bị bay hơi và cần được làm nóng chậm (ví dụ . 10 độ /phút) và điều áp (1-2MPa) để ngăn chặn sự bay hơi.

Sử dụng cralomite than chì để tránh ô nhiễm.

Phương pháp hợp kim cơ

Bóng phay bóng magiê silicon (tỷ lệ bóng so với vật liệu 20: 1, bảo vệ argon), nếu thời gian quá dài, các tạp chất có thể được giới thiệu và nó cần được kiểm soát ít hơn hoặc bằng 10 giờ.

Phương pháp nóng chảy

Thích hợp cho sản xuất quy mô lớn, nhưng cần chú ý đến quá trình oxy hóa magiê (bao gồm các thông lượng như LIF-MGF).

2. Tinh chế và xử lý hậu kỳ
Chắt chưng cất chân không: Loại bỏ magiê không phản ứng (nhiệt độ chưng cất 900-1000 độ, độ chân không nhỏ hơn hoặc bằng 10 pa).

Rửa axit: Sử dụng axit clohydric loãng (5%) để loại bỏ tạp chất MgO và tránh ăn mòn quá mức của Mg ₂ SI.

3, Kỹ năng xử lý và ứng dụng
Chuẩn bị vật liệu nhiệt điện

Quá trình thiêu kết:

Hot pressing sintering (HP): 50MPa, 800 ℃/1h, density>95%.

Spark plasma thiêu kết (SPS): nhanh hơn và ngăn chặn sự phát triển của hạt.

Tính đồng nhất doping: Thêm các dopants (chẳng hạn như BI ₂ TE) trong quá trình trộn bóng trong ít nhất 6 giờ.

Quy định trong hợp kim nhôm

Phân tán đồng nhất: Thúc đẩy sự phân bố các hạt Mg ₂ SI thông qua khuấy siêu âm hoặc khuấy điện từ.

Điều trị lão hóa: Điều trị nhiệt T6 (dung dịch rắn+lão hóa nhân tạo) tối ưu hóa và tăng cường kết tủa pha.

Vật liệu lưu trữ hydro

Thêm chất xúc tác (như TIF3) trong quá trình phay bóng CO với LIH giúp tăng cường động học hấp thụ hydro.

4, Các vấn đề và giải pháp phổ biến
Vấn đề oxy hóa: Bảo vệ khí trơ được yêu cầu trong suốt quá trình (chẳng hạn như hộp găng tay O ₂<1ppm).

Sự phân biệt thành phần: Làm mát nhanh (khuôn đồng làm mát bằng nước) được sử dụng trong quá trình nóng chảy.

Giai đoạn tạp chất: Sau khi tổng hợp, phát hiện bởi XRD để tránh MgO hoặc SI miễn phí.

Chú phổ biến: Silicon magiê Fesimg ferro silicon magiê, Trung Quốc Silicon magiê Fesimg Fesimg Ferro Silicon Magiê, nhà cung cấp, nhà máy