Low Carbon Silicon Carbide
- (5)
- (6)
- (7)
- (9)

Cacbua silic carbon thấp

Carbide silicon carbon thấp (SIC) là một dạng cacbua silicon chuyên dụng được thiết kế cho các ứng dụng luyện kim trong đó ô nhiễm carbon tối thiểu là rất quan trọng. Không giống như SIC tiêu chuẩn, có thể chứa carbon tự do (lên tới 2%), SIC carbon thấp có hàm lượng carbon giảm (thường dưới 0,5%), làm cho nó lý tưởng cho việc sản xuất thép có độ chính xác cao, tinh chế nhôm và các quy trình khác yêu cầu kiểm soát carbon nghiêm ngặt.

Gửi yêu cầu

Giơi thiệu sản phẩm

Mô tả sản phẩm

Carbua silicon carbon thấp (SIC) là một dạng chuyên dụng của cacbua silicon được thiết kế cho các ứng dụng luyện kim nơiÔ nhiễm carbon tối thiểulà quan trọng. Không giống như SIC tiêu chuẩn, có thể chứa carbon tự do (lên tới 2%), sic carbon thấp cógiảm hàm lượng carbon (thường dưới 0,5%), làm cho nó trở nên lý tưởng cho việc sản xuất thép có độ chính xác cao, tinh chế nhôm và các quy trình khác đòi hỏi phải kiểm soát carbon nghiêm ngặt.

Được sản xuất thông quaKỹ thuật thanh lọc nâng cao, sic carbon thấp giữ lạiĐộ dẫn nhiệt, độ cứng và độ ổn định hóa học đặc biệtcủa sic truyền thống trong khi giảm thiểu nhận carbon không mong muốn trong kim loại nóng chảy. Nó có sẵn trongBột, hạt và các hạt có kích thước tùy chỉnh, đảm bảo khả năng tương thích với các quy trình công nghiệp khác nhau.

Tài liệu này đặc biệt có giá trị trongLò hồ quang điện (EAF), tinh chế muôi và sản xuất hợp kim đặc sản, trong đó điều chỉnh carbon chính xác là cần thiết để đáp ứng các tiêu chuẩn chất lượng nghiêm ngặt.

Thông số kỹ thuật

Carbide silicon carbon thấp được thiết kế để đáp ứng các yêu cầu luyện kim nghiêm ngặt. Dưới đây là thông số kỹ thuật chính của nó:

Tham số	Phạm vi đặc điểm kỹ thuật
Nội dung sic	90% - 99%
Carbon miễn phí	Nhỏ hơn hoặc bằng 0,2% - 0.5%
Sio₂	Nhỏ hơn hoặc bằng 1% - 3%
Fe₂o₃	Nhỏ hơn hoặc bằng 0,3% - 0.8%
Al₂o₃	Nhỏ hơn hoặc bằng 0,2% - 0.6%
Kích thước hạt	0,1mm - 10 mm (có thể điều chỉnh)
Mật độ số lượng lớn	1.6 - 2.0 g/cm³
Điểm nóng chảy	~ 2700 độ
Độ dẫn nhiệt	120 - 200 W/m·K

Lớp có sẵn:

Carbon cực thấp sic (nhỏ hơn hoặc bằng 0,2% c)-Đối với thép và siêu hợp chất cực cao.
SIC carbon thấp tiêu chuẩn (nhỏ hơn hoặc bằng 0,5% C)-Được sử dụng trong hầu hết các quá trình luyện kim nhạy cảm với carbon.
SIC carbon thấp tinh khiết cao (lớn hơn hoặc bằng 98% SIC, nhỏ hơn hoặc bằng 0,3% C)- Đối với các ứng dụng bán dẫn và các ứng dụng hợp kim nâng cao.

Các tính năng và lợi ích chính

🔥 Ô nhiễm carbon tối thiểu

Ngăn ngừa quá nhiều carbon carbontrong kim loại nóng chảy, rất quan trọng đối vớiThép carbon thấp, thép không gỉ và chất lọc nhôm.
Đảm bảoThành phần hóa học nhất quántrong các sản phẩm cuối cùng.

Hiệu quả khử oxy hóa tăng cường

Phản ứng với oxy để hình thànhSio₂ và đồng, giảm sự hình thành xỉ và cải thiện độ tinh khiết của kim loại.
Hiệu quả hơn các chất khử oxy truyền thống nhưFerrosilicon và nhôm.